材料

导电类型

膜层厚度

尺寸

晶向

制备方法

Pt/Ti/SiO2/Si

N型掺P,P型掺B

Pt：150nm；过渡层Ti：20nm ； SiO2： 500nm

Ø100mm, 或者根据客户要求切成方片

Si基底晶向<100>

磁控溅射

Au/Cr/Si

N型掺P,P型掺B

Au,40~100nm,过渡层Cr,20nm

Ø50.8mm, 或者根据客户要求切成方片

Si基底晶向<100>

磁控溅射

SiO2/Si

N型掺P,P型掺B

SiO2,100/200/300/500nm

Ø50.8/76.2/100mm, 或者根据客户要求切成方片

Si基底晶向<100>或者<111>

干湿氧化